HESAPLAMALAR
ŞEMA ARŞİVİ
- ENTEGRE AYAK BAĞLANTILARI ( 30 )
- Hobi Devreleri ( 12 )
- ENTEGRE AMFİ ŞEMALARI ( 8 )
- ADAPTÖR ŞEMALARI ( 7 )
- RF DEVRELERİ ( 6 )
- TRANSİSTÖRLÜ AMFİ ŞEMALARI ( 3 )
- PREAMFİ DEVRELERİ ( 2 )
TV ARIZA NOTLARI
SORULARIMIZI FORUMUN İLGİLİ BÖLÜMÜNE YAZARSAK DAHA ÇABUK BİLGİ EDİNEBİLİRSİNİZ. FORUMDA OLMASINI İSTEDİĞİNİZ BÖLÜMLERİ İLETİŞİM BÖLÜMÜNDEN BİZE İLETEBİLİRSİNİZ. YAKINDA TRANSİSTÖR KARŞILIKLARI SİTEMİZE EKLENECEKTİR.
SİZE AİT YAZI, PROJE VEYA MAKALENİZ SİTEMİZDE DE YAYINLANMASINI İSTİYORSANIZ yazar @ kartalelektronik.com MAİL ADRESİNE GÖNDERMENİZ YETERLİ 3 YAZIDAN SONRA ADINIZ YAZAR LİSTEMİZE EKLENECEKTİR.
SİZE AİT YAZI, PROJE VEYA MAKALENİZ SİTEMİZDE DE YAYINLANMASINI İSTİYORSANIZ yazar @ kartalelektronik.com MAİL ADRESİNE GÖNDERMENİZ YETERLİ 3 YAZIDAN SONRA ADINIZ YAZAR LİSTEMİZE EKLENECEKTİR.
YARI İLETKEN DİYOTLAR
Yarı iletken diyotları, P ve N tipi germanyum veya Silikon yarı iletken kristallerinin bazı işlemler uygulanarak bir araya getirilmesiyle elde edilen diyotlardır. Hem elektrikte hemde elektronikte kullanılmaktadır. Şekil 3.3 'te tipik bir örnek olarak kuvvetli akımda kullanılan bir silikon diyot verilmiştir.
Tablo 3.1 'de metal ve yarı iletken diyotlarına ait bazı değerler verilmektedir.
|
|
Tablo 3.1 - Bazı metal ve yarı iletken diyotlarının karakteristik değerleri
| DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ |
Birimi |
DİYOT CİNSİ |
||
| Selenyum | Germanyum | Silikon | ||
| Ters yöndeki dayanma gerilimi |
V |
40 - 60 |
500 - 800 |
1500 - 4000 |
| Aktif yüzeydeki akım yoğunluğu |
A / cm2 |
0.89 - 0.9 |
100 - 300 |
100 - 300 |
| Maksimum doğru yön akımı |
A |
400 |
200 |
1000 |
| Gerilim düşümü |
V |
0.6 - 1 |
0.6 |
1.2 |
| Maksimum dayanma sıcaklığı |
°C |
80°C |
65°C |
140°C |
| Ters yön akımının doğru yön akımına oranı |
IR / ID |
0.1 - 0.03 |
0.0002 |
0.00001 |
Diyotlar arasında bir kıyaslama yapabilmek için Şekil 3.4 'te bazılarının karakteristik eğrileri verilmiştir.

Şekil 3.4 - Bazı diyotların karakteristik eğrileri
KAYNAK: silisyum.net
